三维集成电路堆叠技术面临的技术限制中,以下哪项描述不正确( )。
A:2.5D中介层技术已广泛应用于高端芯片封装,有效提升了芯片间的互连密度和性能。
B:2.5D中介层技术已完全克服了二维平面的限制,充分发挥了三维堆叠的潜力。
C:当前的三维集成技术仍处于工艺发展的探索和完善阶段。
D:三维集成技术面临着技术限制,如TSV制造复杂且昂贵。
三维集成电路堆叠技术面临的技术限制中,以下哪项描述不正确( )。
A:2.5D中介层技术已广泛应用于高端芯片封装,有效提升了芯片间的互连密度和性能。
B:2.5D中介层技术已完全克服了二维平面的限制,充分发挥了三维堆叠的潜力。
C:当前的三维集成技术仍处于工艺发展的探索和完善阶段。
D:三维集成技术面临着技术限制,如TSV制造复杂且昂贵。